Buch, Englisch, 404 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 1730 g
Buch, Englisch, 404 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 1730 g
Reihe: Springer Series in Materials Science
ISBN: 978-3-540-43393-4
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
This wide-ranging book summarizes the current knowledge of radiation defects in semiconductors, outlining the shortcomings of present experimental and modelling techniques and giving an outlook on future developments. It also provides information on the application of sensors in nuclear power plants.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Naturwissenschaften Chemie Physikalische Chemie Nuklearchemie, Photochemie, Strahlenchemie
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Werkstoffprüfung
- Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Festkörperphysik, Kondensierte Materie
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik
- Technische Wissenschaften Technik Allgemein Physik, Chemie für Ingenieure
Weitere Infos & Material
Radiation Environments and Component Selection Strategy.- Basic Radiation Damage Mechanisms in Semiconductor Materials and Devices.- Displacement Damage in Group IV Semiconductor Materials.- Radiation Damage in GaAs.- Space Radiation Aspects of Silicon Bipolar Technologies.- Radiation Damage in Silicon MOS Devices.- GaAs Based Field Effect Transistors for Radiation-Hard Applications.- Opto-Electronic Components for Space.- Advanced Semiconductor Materials and Devices - Outlook.
