Ishibashi / Osada | Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design | E-Book | sack.de
E-Book

E-Book, Englisch, Band 31, 144 Seiten, eBook

Reihe: Springer Series in Advanced Microelectronics

Ishibashi / Osada Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design


1. Auflage 2011
ISBN: 978-3-642-19568-6
Verlag: Springer
Format: PDF
 Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

E-Book, Englisch, Band 31, 144 Seiten, eBook

Reihe: Springer Series in Advanced Microelectronics

ISBN: 978-3-642-19568-6
Verlag: Springer
Format: PDF
 Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

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Zielgruppe

Research

Autoren/Hrsg.

Ishibashi, Koichiro
Osada, Kenichi

Weitere Infos & Material

Preface.- Introduction.- Fundamentals of SRAM Memory Cell.- Electrical Stability.- Sensitivity Analysis.- Memory Cell Design Technique for Low Power SOC.- Array Design Techniques.- Dummy Cell Design.- Reliable Memory Cell Design.- Future Technologies

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