Buch, Englisch, 66 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1299 g
Buch, Englisch, 66 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1299 g
Reihe: SpringerBriefs in Molecular Science
ISBN: 978-3-642-40904-2
Verlag: Springer
In this volume, Prof. Zhang reviews the systematic theoretical studies in his group on the growth mechanisms and properties of silicon quantum dots, nanotubes and nanowires, including: mechanisms of oxide-assisted growth of silicon nanowires, energetic stability of pristine silicon nanowires and nanotubes, thermal stability of hydrogen terminated silicon nanostructures, size-dependent oxidation of hydrogen terminated silicon nanostructures, excited-state relaxation of hydrogen terminated silicon nanodots, and direct-indirect energy band transitions of silicon nanowires and sheets by surface engineering and straining. He also discusses the potential applications of these findings. This book will mainly benefit those members of the scientific and research community working in nanoscience, surface science, nanomaterials and related fields.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Naturwissenschaften Chemie Physikalische Chemie Molekulare Chemische Nanostrukturen
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Oberflächen- und Grenzflächenphysik, Dünne Schichten
- Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Festkörperphysik, Kondensierte Materie
- Technische Wissenschaften Technik Allgemein Nanotechnologie
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Elektronische Baugruppen, Elektronische Materialien
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik
Weitere Infos & Material
Introduction.- Growth mechanism of silicon nanowires.- Stability of silicon nanostructures.- Novel electronic properties of silicon nanostructures.- Summary and remarks.