Zhang / Chan | Tunneling Field Effect Transistor Technology | E-Book | www2.sack.de
E-Book

E-Book, Englisch, 217 Seiten

Reihe: Engineering (R0)

Zhang / Chan Tunneling Field Effect Transistor Technology


1. Auflage 2016
ISBN: 978-3-319-31653-6
Verlag: Springer International Publishing
Format: PDF
 Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

E-Book, Englisch, 217 Seiten

Reihe: Engineering (R0)

ISBN: 978-3-319-31653-6
Verlag: Springer International Publishing
Format: PDF
 Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

This book provides a single-source reference to the state-of-the art in
tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs
physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and
the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs
for power efficiency.

Zhang / Chan Tunneling Field Effect Transistor Technology jetzt bestellen!

Zielgruppe

Research

Autoren/Hrsg.

Zhang, Lining
Chan, Mansun

Weitere Infos & Material

Steep Slope Devices and TFETs.- Tunnel-FET Fabrication and Characterization.- Compact Models of TFETs.- Challenges and Designs of TFET for Digital Applications.- Atomistic Simulations of Tunneling FETs.- Quantum Transport Simulation of III-V TFETs with Reduced-Order k · p Method.- Carbon Nanotube TFETs: Structure Optimization with Numerical Simulation.

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