Widmann / Mader / Friedrich | Technologie hochintegrierter Schaltungen | E-Book | sack.de
E-Book

E-Book, Deutsch, Band 19, 320 Seiten, eBook

Reihe: Halbleiter-Elektronik

Widmann / Mader / Friedrich Technologie hochintegrierter Schaltungen


1988
ISBN: 978-3-642-97059-7
Verlag: Springer
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

E-Book, Deutsch, Band 19, 320 Seiten, eBook

Reihe: Halbleiter-Elektronik

ISBN: 978-3-642-97059-7
Verlag: Springer
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark



Im vorliegenden Buch wird die Technologie von hochintegrierten Schaltungen behandelt. Es werden zunächst sehr ausführlich und praxisnah die verschiedenen technologischen Verfahren und Einzelprozesse aus den Bereichen Lithographie, Schicht-, Ätz- und Dotiertechnik beschrieben. Danach folgen Beispiele für die Integration der Einzelprozesse zur Herstellung von CMOS-, Bipolar- und BICMOS-Schaltungen. Sowohl die Einzelprozesse als auch die Prozeßintegration sind anschaulich mit zahlreichen Bildern dargestellt. Das Buch vermittelt nicht nur eine gute Übersicht, sondern auch sehr detaillierte Informationen über den modernsten Stand der Technologie hochintegrierter Schaltungen, wie sie z.B. bei der Herstellung des dynamischen IMEGA-Bit-Speichers Anwendung findet. Darüber hinausgehende Entwicklungen, die in den Sub-Mikrometer-Bereich führen, werden ebenfalls beschrieben.

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Zielgruppe


Professional/practitioner

Weitere Infos & Material


Bezeichnungen und Symbole.- 1 Einleitung.- Literatur zu Kapitel 1.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.12 Organische Schichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.6 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßchemisches Ätzen.- 5.2 Plasmaunterstütztes Ätzen.- 5.3 Plasmaunterstützte Ätzprozesse.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Scheibenreinigung.- 7.3 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Der Gesamtprozeß — Architektur und Integration.- 8.1 MOS-Technologie.- 8.2 CMOS-Technologie.- 8.3 Bipolartechnologie.- 8.4 BICMOS-Technologie.- 8.5 Literatur zu Kapitel 8.- 9 Strukturverkleinerung in der MOS-Technik.- 9.1 Die ähnliche Verkleinerung.- 9.2 Strukturverkleinerung mit konstanten Spannungspegeln, Feinstruktureffekte.- 9.3 Literatur zu Kapitel 9.



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