Buch, Englisch, 90 Seiten, Format (B × H): 170 mm x 240 mm, Gewicht: 300 g
Buch, Englisch, 90 Seiten, Format (B × H): 170 mm x 240 mm, Gewicht: 300 g
ISBN: 978-3-0364-0918-4
Verlag: Trans Tech Publications
By integrating technological features of crystal and epitaxial layer growth, physics of defect occurrence processes and procedures for eliminating their effects, and device engineering, this edition provides a comprehensive overview of the current state of research and existing approaches to mitigating defect-related limitations in SiC-based technologies.
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Elektronische Baugruppen, Elektronische Materialien
- Technische Wissenschaften Energietechnik | Elektrotechnik Elektrotechnik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie