Tilke | Einzelelektronentransport in Silicon-on-Insulator-Nanostrukturen | Buch | 978-3-89722-589-3 | sack.de

Buch, Englisch, 160 Seiten, Format (B × H): 145 mm x 210 mm

Tilke

Einzelelektronentransport in Silicon-on-Insulator-Nanostrukturen


Erscheinungsjahr 2001
ISBN: 978-3-89722-589-3
Verlag: Logos

Buch, Englisch, 160 Seiten, Format (B × H): 145 mm x 210 mm

ISBN: 978-3-89722-589-3
Verlag: Logos

In this work electron transport through different kinds of single-electron devices in thin silicon-on-insulator (SOI) films has been investigated. In highly doped silicon nanowires single-electron effects due to spontaneous formation of multiple tunneljunctions (MTJ) caused by random dopant fluctuations become visible. Similar effects were found in poly-crystalline siliconnanostructures. In quasi-metallic silicon nanowires metallic Coulomb blockade oscillations have been found. In quantum dots embedded in the inversion channel of a SOI-MOSFET high temperature operation up to 300 K has been observed. Influences of the quantum mechanical confinement are significant in these structures. Suspending highly doped nanostructures phononiceffects have been measured due to the suppressed inelastic electron-phonon scattering.

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Autoren/Hrsg.

Tilke, Armin

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