Scheinemann / Huang / Luisier | Modelling of Leakage Currents Induced by Extended Defects in Extra-Functionality Devices | Buch | 978-3-86628-504-0 | sack.de

Buch, Englisch, Band 224, 124 Seiten, KART, Format (B × H): 149 mm x 210 mm, Gewicht: 230 g

Reihe: Series in Microelectronics

Scheinemann / Huang / Luisier

Modelling of Leakage Currents Induced by Extended Defects in Extra-Functionality Devices


1., First Edition 2014
ISBN: 978-3-86628-504-0
Verlag: Hartung-Gorre

Buch, Englisch, Band 224, 124 Seiten, KART, Format (B × H): 149 mm x 210 mm, Gewicht: 230 g

Reihe: Series in Microelectronics

ISBN: 978-3-86628-504-0
Verlag: Hartung-Gorre

Topic of the presented thesis is the development of a Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) simulator combining the convenient state-of-the-art computation of electrostatics in devices with the flexibility of a completely independent C++ - code, to validate and test the implications of different models for the capture and emission of electrans and holes to a defect state. Conclusions about the electrical nature of defects obtained fram the comparison of DLTS simulations and measurements can subsequently be used to refine the simulation of leakage currents.

Scheinemann / Huang / Luisier Modelling of Leakage Currents Induced by Extended Defects in Extra-Functionality Devices jetzt bestellen!

Autoren/Hrsg.

Scheinemann, Artur
Huang, Qiuting
Luisier, Mathieu
Schenk, Andreas
Witzigmann, Bernd

Fachgebiete

Ihre Fragen, Wünsche oder Anmerkungen
Vorname*
Nachname*
Ihre E-Mail-Adresse*
Kundennr.
Ihre Nachricht*
Lediglich mit * gekennzeichnete Felder sind Pflichtfelder.
Wenn Sie die im Kontaktformular eingegebenen Daten durch Klick auf den nachfolgenden Button übersenden, erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Ihr Angaben für die Beantwortung Ihrer Anfrage verwenden. Selbstverständlich werden Ihre Daten vertraulich behandelt und nicht an Dritte weitergegeben. Sie können der Verwendung Ihrer Daten jederzeit widersprechen. Das Datenhandling bei Sack Fachmedien erklären wir Ihnen in unserer Datenschutzerklärung.