E-Book, Deutsch, Band 4, 404 Seiten, eBook
Reihe: Halbleiter-Elektronik
Ruge Halbleiter-Technologie
2. Auflage 1984
ISBN: 978-3-642-96782-5
Verlag: Springer
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark
E-Book, Deutsch, Band 4, 404 Seiten, eBook
Reihe: Halbleiter-Elektronik
ISBN: 978-3-642-96782-5
Verlag: Springer
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Zielgruppe
Research
Weitere Infos & Material
Physikalische Größen.- 1. Der ideale Einkristall.- 1.1. Gitteraufbau.- 1.2. Beschreibung von Ebenen und Richtungen im Kristall.- 1.3. Bindungskräfte.- 2. Der reale Kristall.- 2.1. Punktförmige Kristallfehler.- 2.2. Linienförmige Kristallfehler.- 2.3. Flächenhafte Kristallfehler.- 3. Herstellung von Einkristallen.- 3.1. Grundlagen des Kristallwachstums.- 3.2. Phasendiagramme.- 3.3. Verfahren der Kristallzucht.- 4. Dotiertechnologien.- 4.1. Legierung.- 4.2. Diffusion.- 4.3. Ionenimplantation.- 4.4. Dotierung durch Kernumwandlung.- 4.5. Gegenüberstellung der Dotierungsverfahren.- 5. Der Metall-Halbleiter-Kontakt.- 5.1. Das System Metall-Vakuum.- 5.2. Das System Metall-Halbleiter.- 5.3. Strom-Spannungs-Kennlinien der Kontakte.- 5.4. Technische Ausführungen von Schottky-und ohmschen Kontakten.- 5.5. Wärmeableitung durch Kontakte.- 6. Meßverfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern.- 6.1. Meßverfahren zur Ermittlung elektrischer Größen.- 6.2. Meßverfahren zur Ermittlung physikalischer Größen.- 7. Kristallvorbereitung.- 7.1. Sägen.- 7.2. Oberflächenglättung.- 7.3. Ätzen.- 7.4. Reinigen der Kristalloberfläche.- 8. Grundzüge der Planartechnik.- 8.1. Diffusionsmaskierung.- 8.2. Herstellung von Isolierschichten.- 8.3. Lithographie.- 8.4. Ätztechnik.- 8.5. Metallisierung.- 8.6. Zusammenfassende Darstellung der Verfahrens-schritte bei der Herstellung eines Silizium-Epitaxial-Planar-Transistors.- 8.7. Ausgewählte Bauelemente.- 8.8. Ausgewählte Probleme der Planartechnik.- 9. Gehäuse- und Montagetechnik.- 9.1. Gehäusetypen;.- 9.2. Montage der Plättchen im Gehäuse.- 9.3. Kontaktierung mit Drähten.- 9.4. Andere Kontaktierungs-und Montagemethoden.- 9.5. Verkapselung.- 10. Spezielle Technologien für die Herstellung Integrierter Schaltungen.- 10.1.Silizium-Steuerelektroden-Technik.- 10.2. Lokale Oxidation von Silizium.- 11. Einführung in die Technik der Schaltungsintegration.- 11.1. Integrierte Schaltungen mit bipolaren Transistoren..- 11.2. Integrierte Schaltungen mit MOS-Transistoren.- 11.3. Besondere Merkmale der MOS-Technik.- 11.4. Weitere Konzepte der Schaltungsintegration.- 12. Anhang.- Tabelle 12.1. Komplementäre Fehlerfunktionen von 0 bis 4,5.- Tabelle 12.2. Smith-Funktion [4.2].- Tabelle 12.3. Übersicht über die gebräuchlichsten Ätzlösungen für Silizium [8.1].- 12.4. Ansatz zur Berechnung des Schottky-Effektes.
