Buch, Englisch, Band 85, 492 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 874 g
A Method of Defect Characterization in Silicon for Photovoltaic Applications
Buch, Englisch, Band 85, 492 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 874 g
Reihe: Springer Series in Materials Science
ISBN: 978-3-642-06453-1
Verlag: Springer
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Technik Allgemein Physik, Chemie für Ingenieure
- Technische Wissenschaften Verfahrenstechnik | Chemieingenieurwesen | Biotechnologie Metallurgie
- Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Festkörperphysik, Kondensierte Materie
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Werkstoffprüfung
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Mikroskopie, Spektroskopie
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Werkstoffkunde, Materialwissenschaft: Forschungsmethoden
- Naturwissenschaften Physik Physik Allgemein Experimentalphysik
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Metallische Werkstoffe
Weitere Infos & Material
Theory of carrier lifetime in silicon.- Lifetime measurement techniques.- Theory of lifetime spectroscopy.- Defect characterization on intentionally metal-contaminated silicon samples.- The metastable defect in boron-doped Czochralski silicon.- Summary and further work.- Zusammenfassung und Ausblick.