Buch, Englisch, 492 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 1035 g
A Method of Defect Characterization in Silicon for Photovoltaic Applications
Buch, Englisch, 492 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 1035 g
Reihe: Springer Series in Materials Science
ISBN: 978-3-540-25303-7
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Lifetime spectroscopy is one of the most sensitive diagnostic tools for the identification and analysis of impurities in semiconductors. Since it is based on the recombination process, it provides insight into precisely those defects that are relevant to semiconductor devices such as solar cells. This book introduces a transparent modeling procedure that allows a detailed theoretical evaluation of the spectroscopic potential of the different lifetime spectroscopic techniques. The various theoretical predictions are verified experimentally with the context of a comprehensive study on different metal impurities. The quality and consistency of the spectroscopic results, as explained here, confirms the excellent performance of lifetime spectroscopy.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Mikroskopie, Spektroskopie
- Naturwissenschaften Physik Physik Allgemein Experimentalphysik
- Technische Wissenschaften Verfahrenstechnik | Chemieingenieurwesen | Biotechnologie Metallurgie
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Metallische Werkstoffe
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Werkstoffprüfung
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Werkstoffkunde, Materialwissenschaft: Forschungsmethoden
- Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Festkörperphysik, Kondensierte Materie
- Technische Wissenschaften Technik Allgemein Physik, Chemie für Ingenieure
Weitere Infos & Material
Theory of carrier lifetime in silicon.- Lifetime measurement techniques.- Theory of lifetime spectroscopy.- Defect characterization on intentionally metal-contaminated silicon samples.- The metastable defect in boron-doped Czochralski silicon.- Summary and further work.- Zusammenfassung und Ausblick.