O'Donnell / Dierolf | Rare-Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications | E-Book | sack.de
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E-Book, Englisch, Band 124, 355 Seiten, eBook

Reihe: Topics in Applied Physics

O'Donnell / Dierolf Rare-Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications


E-Book, Englisch, Band 124, 355 Seiten, eBook

Reihe: Topics in Applied Physics

ISBN: 978-90-481-2877-8
Verlag: Springer Netherland
Format: PDF
 Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

This book summarises recent progress in the science and technology of rare-earth doped nitrides, providing a snapshot of the field at a critical point in its development. It is the first book on rare-earth doped III-Nitrides and semiconductors.
O'Donnell / Dierolf Rare-Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications jetzt bestellen!

Zielgruppe

Research

Autoren/Hrsg.

O'Donnell, Kevin
Dierolf, Volkmar
O'Donnell, Kevin Peter

Weitere Infos & Material

Theoretical Modelling of Rare Earth Dopants in GaN.- RE Implantation and Annealing of III-Nitrides.- Lattice Location of RE Impurities in IIINitrides.- Electroluminescent Devices Using RE-Doped III-Nitrides.- Er-Doped GaN and InxGa1-xN for Optical Communications.- Rare-Earth-Doped GaN Quantum Dot.- Visible Luminescent RE-doped GaN, AlGaN and AlInN.- Combined Excitation Emission Spectroscopy (CEES) of RE Ions in Gallium Nitride.- Excitation Mechanisms of RE Ions in Semiconductors.- High-Temperature Ferromagnetism in the Super-Dilute Magnetic Semiconductor GaN:Gd.- Summary and Prospects for Future Work.

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