Buch, Deutsch, 138 Seiten, Format (B × H): 148 mm x 210 mm, Gewicht: 197 g
ISBN: 978-3-8244-2091-9
Verlag: Deutscher Universitätsverlag
Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen, das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit sehr geringen Konzentrationen quantitativ nachzuweisen.
Zielgruppe
Upper undergraduate
Fachgebiete
- Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Festkörperphysik, Kondensierte Materie
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik
Weitere Infos & Material
1 Einleitung.- 1.1 Technologischer Stellenwert von III-V-Halbleitern.- 1.2 Anforderungen an die Oberfläche von GaAs-Wafern.- 1.3 Ziel der Arbeit.- 2 Materialkunde.- 2.1 Galliumarsenid (GaAs).- 2.2 Herstellung von GaAs-Wafern.- 3 Verwendete oberflächenanalytische Methoden.- 3.1 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS).- 3.2 Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS).- 3.3 Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF).- 3.4 Ellipsometrie.- 4 Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs.- 4.1 Herstellung von Standards.- 4.2 Identifikation metallischer Spurenelemente.- 4.3 Tiefenanalyse metallischer Spurenelemente.- 4.4 Quantitative Analyse metallischer Spurenelemente.- 5 Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs.- 5.1 Oxidationsmechanismen.- 5.2 Signaturdaten für XPS, TOF-SIMS und Ellipsometrie.- 5.3 GaAs-Oberflächen nach Oxidation an Umgebungsluft.- 5.4 GaAs-Oberflächen nach Oxidation unter UV/Ozon-Einfluß.- 5.5 Vergleich der Oxidationsmechanismen.- 6 Zusammenfassende Diskussion.- 7 Literaturverzeichnis.
