Münch | Einführung in die Halbleitertechnologie | Buch | 978-3-519-06167-0 | sack.de

Buch, Deutsch, 264 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 423 g

Münch

Einführung in die Halbleitertechnologie


1993
ISBN: 978-3-519-06167-0
Verlag: Vieweg+Teubner Verlag

Buch, Deutsch, 264 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 423 g

ISBN: 978-3-519-06167-0
Verlag: Vieweg+Teubner Verlag


Die Entwicklung der Halbleitertechnologie gehOrt zweifellos zu den bedeutenden industriellen Errungenschaften des zwanzigsten lahrhunderts. Es ist zu erwarten, daB diese Technologie auch weiterhin den technischen Fortschritt wesentlich mit­ bestimmen wird. Das Ziel dieses Buches ist es deshalb, einen moglichst breiten Leserkreis mit den Grundlagen der Halbleitertechnologie vertraut zu machen. Die stofftiche Gliederung des Buches erfolgt vorwiegend nach didaktischen Ge­ sichtspunkten. Ausgehend von den Halbleiterwerkstoffen und ihren Eigenschaf­ ten werden zunachst die fur die Funktionsfahigkeit von Halbleiterbauelementen wesentlichen Kriterien der Materialauswahl erlautert; dabei wird ein breites Spektrum von Halbleiterwerkstoffen (elementare Halbleiter, Verbindungshalblei­ ter) betrachtet. Bei der Darstellung der Verfahrensschritte der Halbleitertechnolo­ gie wird eine Verdeutlichung der Grundprinzipien angestrebt; auf eine detaillierte Beschreibung der Einzelprozesse wird hingegen bewuBt verzichtet. In einigen Fallen werden Verfahren behandelt, welche - unabhangig von ihrem gegenwarti­ gen industriellen Einsatz - fur das Verstandnis der Weiterentwicklung der Halb­ leitertechnologie von Bedeutung sind. Bei der Auswahl der Literaturstellen wur­ de zusammenfassenden Darstellungen der Vorzug gegeben. Herrn Dipl.-Phys. C. Rose habe ich fur die kompetente und griindliche Textverar­ beitung zu danken.

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Zielgruppe


Upper undergraduate


Autoren/Hrsg.


Weitere Infos & Material


1 Einleitung.- 1.1 Halbleiterwerkstoffe.- 1.2 Halbleitereigenschaften.- 1.3 Halbleiterbauelemente.- 2 Halbleitermaterial.- 2.1 Bereitstellung des Rohmaterials.- 2.2 Kristallisation.- 2.3 Scheibenherstellung.- 3 Epitaxie.- 3.1 Gasphasenepitaxie.- 3.2 Molekularstrahlepitaxie.- 3.3 Flüssigphasenepitaxie.- 4 Dotierungsverfahren.- 4.1 Dotierstoffe.- 4.2 Dotierung während der Kristallzucht.- 4.3 Epitaktischer Schichtaufbau.- 4.4 Legierungstechnik.- 4.5 Diffusion.- 4.6 Ionenimplantation.- 5 Schichtherstellung.- 5.1 Dielektrika.- 5.2 Halbleiter.- 5.3 Metalle und Silizide.- 6 Strukturierung.- 6.1 Lithographie.- 6.2 Ätztechnik.- 6.3 Abhebetechnik.- 7 Aufbau- und Verbindungstechnik.- 7.1 Ohmsche Kontakte.- 7.2 Chipmontage.- 7.3 Kontaktierung.- 8 Halbleiterbauelemente.- 8.1 Dioden.- 8.2 Bipolartransistoren.- 8.3 Thyristoren.- 8.4 Feldeffekttransistoren.- 8.5 Optoelektronische Bauelemente.- 9 Integrierte Schaltungen.- 9.1 Isolationstechnik.- 9.2 Integrierte Bipolarschaltungen.- 9.3 Integrierte Schaltungen mit Feldeffekttransistoren.- Literatur.


Prof. Dr. phil. nat. Waldemar von Münch (em.), Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart



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