Luo | GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements | Buch | 978-3-7369-9906-0 | www2.sack.de

Buch, Englisch, 160 Seiten, Format (B × H): 148 mm x 210 mm, Gewicht: 216 g

Luo

GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements


Erscheinungsjahr 2019
ISBN: 978-3-7369-9906-0
Verlag: Cuvillier

Buch, Englisch, 160 Seiten, Format (B × H): 148 mm x 210 mm, Gewicht: 216 g

ISBN: 978-3-7369-9906-0
Verlag: Cuvillier

Luo GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements jetzt bestellen!

Autoren/Hrsg.

Luo, Peng
Ihre Fragen, Wünsche oder Anmerkungen
Vorname*
Nachname*
Ihre E-Mail-Adresse*
Kundennr.
Ihre Nachricht*
Lediglich mit * gekennzeichnete Felder sind Pflichtfelder.
Wenn Sie die im Kontaktformular eingegebenen Daten durch Klick auf den nachfolgenden Button übersenden, erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Ihr Angaben für die Beantwortung Ihrer Anfrage verwenden. Selbstverständlich werden Ihre Daten vertraulich behandelt und nicht an Dritte weitergegeben. Sie können der Verwendung Ihrer Daten jederzeit widersprechen. Das Datenhandling bei Sack Fachmedien erklären wir Ihnen in unserer Datenschutzerklärung.