Liu | 4H-Silicon Carbide MOSFET | Buch | 978-3-639-71248-3 | sack.de

Buch, Englisch, 124 Seiten, Paperback, Format (B × H): 150 mm x 220 mm, Gewicht: 203 g

Liu

4H-Silicon Carbide MOSFET

Interface Structure, Defect States and Inversion Layer Mobility
Erscheinungsjahr 2014
ISBN: 978-3-639-71248-3
Verlag: VDM Verlag Dr. Müller

Interface Structure, Defect States and Inversion Layer Mobility

Buch, Englisch, 124 Seiten, Paperback, Format (B × H): 150 mm x 220 mm, Gewicht: 203 g

ISBN: 978-3-639-71248-3
Verlag: VDM Verlag Dr. Müller

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Autoren/Hrsg.

Liu, Gang
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