Buch, Englisch, 208 Seiten, Format (B × H): 161 mm x 240 mm, Gewicht: 476 g
Magnetic, Resistive, and Phase Change
Buch, Englisch, 208 Seiten, Format (B × H): 161 mm x 240 mm, Gewicht: 476 g
ISBN: 978-1-4398-0745-3
Verlag: CRC Press
Zielgruppe
Senior undergraduate students/graduate students in electrical engineering, VLSI, microelectronic, semiconductor and materials; engineers working with nonvolatile memory products, design house/foundry that supplies nonvolatile memory IP, or working at a microprocessor/microcontroller that has on-chip embedded (nonvolatile) memory; researchers working on nonvolatile storage devices.
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Mathematik | Informatik EDV | Informatik Technische Informatik Hardware: Grundlagen und Allgemeines
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Schaltungsentwurf
Weitere Infos & Material
Introduction to Semiconductor Memories. Phase Change Memory (PCM). Toggle-Mode MRAM (TM-MRAM). Spin-Torque Transfer RAM (STT -RAM). Resistive RAM (R-RAM). Memresistor. The Future of Nonvolatile Memory.