Lannoo | Point Defects in Semiconductors I | E-Book | www2.sack.de
E-Book

E-Book, Englisch, Band 22, 265 Seiten

Reihe: Springer Series in Solid-State Sciences

Lannoo Point Defects in Semiconductors I

Theoretical Aspects
Erscheinungsjahr 2012
ISBN: 978-3-642-81574-4
Verlag: Springer
Format: PDF
 Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

Theoretical Aspects

E-Book, Englisch, Band 22, 265 Seiten

Reihe: Springer Series in Solid-State Sciences

ISBN: 978-3-642-81574-4
Verlag: Springer
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