Lang / Fraunhofer ISE, Freiburg/Brsg. | Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems | Buch | 978-3-8396-1939-1 | sack.de

Buch, Deutsch, 130 Seiten, Format (B × H): 148 mm x 210 mm

Reihe: Solare Energie- und Systemforschung / Solar Energy and Systems Research

Lang / Fraunhofer ISE, Freiburg/Brsg.

Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems


Erscheinungsjahr 2023
ISBN: 978-3-8396-1939-1
Verlag: Fraunhofer Verlag

Buch, Deutsch, 130 Seiten, Format (B × H): 148 mm x 210 mm

Reihe: Solare Energie- und Systemforschung / Solar Energy and Systems Research

ISBN: 978-3-8396-1939-1
Verlag: Fraunhofer Verlag


Auf dem Weg zu einer erfolgreichen Energiewende kommt der Photovoltaik eine bedeutende Rolle zu. Die größte Verbreitung in diesem Bereich weisen Silizium-Solarzellen auf, die als Massenprodukt zu vergleichsweise geringen Kosten hergestellt werden, aber in ihrer Effizienz auf unter 30 % limitiert sind. Deutlich höhere Wirkungsgrade lassen sich mit Mehrfachsolarzellen aus III-V-Halbleitern erzielen, die bereits Effizienzen bis 47 % erreicht haben. In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zu Materialeigenschaften der dabei verwendeten III-V Halbleiterverbindungen durchgeführt. Insbesondere wurde die GaAs-Wachstumsrate mittels MOVPE von 4 auf 280 µm/h erhöht, wodurch der Solarzellenabsorber in unter 2 statt über 45 Minuten abgeschieden werden konnte. Eine mit 100 µm/h abgeschiedene GaAs-Solarzelle erreichte fast 96 % der Effizienz einer langsam gewachsenen Referenz. Zusätzlich wurde die Eignung von GaInAsP als Material für Weltraumsolarzellen untersucht, wobei sich n-GaInAsP mit hohem InP-Gehalt als vielversprechend herausgestellt hat.
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