Krause-Rehberg / Leipner | Positron Annihilation in Semiconductors | Buch | 978-3-642-08403-4 | sack.de

Buch, Englisch, 383 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 604 g

Reihe: Springer Series in Solid-State Sciences

Krause-Rehberg / Leipner

Positron Annihilation in Semiconductors

Defect Studies
Softcover Nachdruck of hardcover 1. Auflage 1999
ISBN: 978-3-642-08403-4
Verlag: Springer

Defect Studies

Buch, Englisch, 383 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 604 g

Reihe: Springer Series in Solid-State Sciences

ISBN: 978-3-642-08403-4
Verlag: Springer


This comprehensive book reports on recent investigations of lattice imperfections in semiconductors by means of positron annihilation. It reviews positron techniques, and describes the application of these techniques to various kinds of defects, such as vacancies, impurity vacancy complexes and dislocations.

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Zielgruppe


Research

Weitere Infos & Material


1 Introduction.- 2 Experimental Techniques.- 3 Basics of Positron Annihilation in Semiconductors.- 4 Defect Characterization in Elemental Semiconductors.- 5 Defect Characterization in III–V Compounds.- 6 Defect Characterization in II–VI Compounds.- 7 Defect Characterization in Other Compounds.- 8 Applications of Positron Annihilation in Defect Engineering.- 9 Comparison of Positron Annihilation with Other Defect-Sensitive Techniques.- A1 Semiconductor Data.- A2 Trapping Model Equations.- References.



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