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Buch, Englisch, 263 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 4219 g
Buch, Englisch, 263 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 4219 g
ISBN: 978-1-4899-7943-8
Verlag: Springer US
This edited volume discusses atomic layer deposition (ALD) for all modern semiconductor devices, moving from the basic chemistry of ALD and modeling of ALD processes to sections on ALD for memories, logic devices, and machines. The section on ALD for memories covers both mass-produced memories, such as DRAM and Flash, and emerging memories, such as PCRAM and FeRAM. The section on ALD for logic devices covers both front-end of the line processes and back-end of the line processes. The final section on ALD for machines looks at toolsets and systems hardware. Each chapter provides the history, operating principles, and a full explanation of ALD processes for each device.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik
- Technische Wissenschaften Verfahrenstechnik | Chemieingenieurwesen | Biotechnologie Technologie der Oberflächenbeschichtung
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
Weitere Infos & Material
Introduction.- Precursors and reaction mechanisms.- ALD simulations.- ALD for mass-production memories (DRAM and Flash).- ALD for emerging memories.- PcRAM.- FeRAM.- Front end of the line process.- Back end of the line.- ALD machines.