Hao / Zhang | Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices | Buch | 978-0-367-57436-9 | sack.de

Buch, Englisch, 392 Seiten, Format (B × H): 178 mm x 254 mm, Gewicht: 739 g

Hao / Zhang

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices


1. Auflage 2020
ISBN: 978-0-367-57436-9
Verlag: CRC Press

Buch, Englisch, 392 Seiten, Format (B × H): 178 mm x 254 mm, Gewicht: 739 g

ISBN: 978-0-367-57436-9
Verlag: CRC Press

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.

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Autoren/Hrsg.

Hao, Yue
Zhang, Jin Feng
Zhang, Jin Cheng

Fachgebiete

Weitere Infos & Material

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.

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