Germann | Design and Realization of Novel GaAs Based Laser Concepts | Buch | 978-3-642-34078-9 | sack.de

Buch, Englisch, 150 Seiten, HC runder Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 418 g

Reihe: Springer Theses

Germann

Design and Realization of Novel GaAs Based Laser Concepts

Buch, Englisch, 150 Seiten, HC runder Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 418 g

Reihe: Springer Theses

ISBN: 978-3-642-34078-9
Verlag: Springer


Semiconductor heterostructures represent the backbone for an increasing variety of electronic and photonic devices, for applications including information storage, communication and material treatment, to name but a few. Novel structural and material concepts are needed in order to further push the performance limits of present devices and to open up new application areas.
This thesis demonstrates how key performance characteristics of three completely different types of semiconductor lasers can be tailored using clever nanostructure design and epitaxial growth techniques. All aspects of laser fabrication are discussed, from design and growth of nanostructures using metal-organic vapor-phase epitaxy, to fabrication and characterization of complete devices.
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Zielgruppe


Research


Autoren/Hrsg.


Weitere Infos & Material


Semiconductor Laser Concepts.- Experimental.- MOVPE Processes.- Edge-Emitting Quantum Dot Lasers.- High-Power Vertical External-Cavity Surface-Emitting Lasers.- Electro-optically Modulated Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers.- Summary and Outlook.- Additional Methods.


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