Buch, Englisch, Band 73, 452 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1850 g
Devices and Applications
Buch, Englisch, Band 73, 452 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1850 g
Reihe: Springer Series in Materials Science
ISBN: 978-3-540-20666-8
Verlag: Springer
This book reviews the progress achieved in SiC research and development, particularly over the past 10 years. It presents the essential properties of 3C-, 6H- and 4H-SiC polytypes including structural, electrical, optical, surface and interface properties; describes existing key SiC devices and also the challenges in materials growth and device fabrication of the 21st century.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Elektronische Baugruppen, Elektronische Materialien
- Technische Wissenschaften Verfahrenstechnik | Chemieingenieurwesen | Biotechnologie Technologie der Oberflächenbeschichtung
- Technische Wissenschaften Technik Allgemein Physik, Chemie für Ingenieure
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Magnetismus
- Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Oberflächen- und Grenzflächenphysik, Dünne Schichten
Weitere Infos & Material
1 Materials Science and Engineering of Bulk Silicon Carbides.- 2 Fundamental Properties of SiC: Crystal Structure, Bonding Energy, Band Structure, and Lattice Vibrations.- 3 Sublimation Growth of SiC Single Crystals.- 4 Crystal Growth of Silicon Carbide: Evaluation and Modeling.- 5 Lattice Dynamics of Defects and Thermal Properties of 3C-SiC.- 6 Optical and Interdisciplinary Analysis of Cubic SiC Grown on Si by Chemical Vapor Deposition.- 7 Electron Paramagnetic Resonance Characterization of SiC.- 8 Material Selection and Interfacial Reaction in Ohmic-Contact Formation on SiC.- 9 Oxidation, MOS Capacitors, and MOSFETs.- 10 4H-SiC Power-Switching Devices for Extreme-Environment Applications.- 11 SiC Nuclear-Radiation Detectors.
