Buch, Englisch, 211 Seiten, HC runder Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 4557 g
Volume 2--Emerging Materials and Structures
Buch, Englisch, 211 Seiten, HC runder Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 4557 g
ISBN: 978-3-319-48703-8
Verlag: Springer International Publishing
- Provides a comprehensive overview of the technology for charge-trapping non-volatile memories;
- Details new architectures and current modeling concepts for non-volatile memory devices;
- Focuses on conduction through multi-layer gate dielectrics stacks.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Biomaterialien, Nanomaterialien, Kohlenstoff
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Elektronische Baugruppen, Elektronische Materialien
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Bauelemente, Schaltkreise
Weitere Infos & Material
Materials and Device Reliability in SONOS Memories.- Charge-Trap-Non-Volatile Memory and Focus on Flexible Flash Memory Devices.- Hybrid Memories Based on Redox Molecules.- Organic Floating-Gate Memory Structures.- Nanoparticles Based Flash-like Non Volatile Memories: Cluster Beam Synthesis of Metallic Nanoparticles and Challenges for the Overlying Control Oxide Layer.