Braun | Applied RHEED | Buch | 978-3-662-15614-8 | sack.de

Buch, Englisch, Band 154, 220 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 365 g

Reihe: Springer Tracts in Modern Physics

Braun

Applied RHEED

Reflection High-Energy Electron Diffraction During Crystal Growth
Softcover Nachdruck of the original 1. Auflage 1999
ISBN: 978-3-662-15614-8
Verlag: Springer

Reflection High-Energy Electron Diffraction During Crystal Growth

Buch, Englisch, Band 154, 220 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 365 g

Reihe: Springer Tracts in Modern Physics

ISBN: 978-3-662-15614-8
Verlag: Springer


The book describes RHEED (reflection high-energy electron diffraction) used as a tool for crystal growth. New methods using RHEED to characterize surfaces and interfaces during crystal growth by MBE (molecular beam epitaxy) are presented. Special emphasis is put on RHEED intensity oscillations, segregation phenomena, electron energy-loss spectroscopy and RHEED with rotating substrates.

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Zielgruppe


Research


Autoren/Hrsg.


Weitere Infos & Material


MBE-grown semiconductor interfaces.- Reflection high-energy electron diffraction (RHEED).- RHEED oscillations.- Semikinematical simulations of RHEED patterns.- Kikuchi lines.- RHEED with rotating substrates.- Reconstruction-induced phase shifts of RHEED oscillations.- Energy loss spectroscopy during growth.- Phase shifts: Models.- Applications of reconstruction-induced phase shifts.- Closing remarks.



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