Biswas / Ghosal | Theoretical Study of Electron Transport Characteristics in GaN | Buch | 978-3-659-33850-2 | sack.de

Buch, Englisch, 100 Seiten, Paperback, Format (B × H): 150 mm x 220 mm, Gewicht: 167 g

Biswas / Ghosal

Theoretical Study of Electron Transport Characteristics in GaN

Boltzmann transport equation (BTE), High field transport theory, Velocity Overshoot, Monte-carlo simulation
Erscheinungsjahr 2013
ISBN: 978-3-659-33850-2
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing

Boltzmann transport equation (BTE), High field transport theory, Velocity Overshoot, Monte-carlo simulation

Buch, Englisch, 100 Seiten, Paperback, Format (B × H): 150 mm x 220 mm, Gewicht: 167 g

ISBN: 978-3-659-33850-2
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing

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Autoren/Hrsg.

Biswas, Arindam
Ghosal, Aniruddha
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