Buch, Deutsch, Band 2, 148 Seiten, Format (B × H): 140 mm x 200 mm, Gewicht: 200 g
Reihe: Nanoelektronik
Buch, Deutsch, Band 2, 148 Seiten, Format (B × H): 140 mm x 200 mm, Gewicht: 200 g
Reihe: Nanoelektronik
ISBN: 978-3-934453-26-5
Verlag: Bochumer Universitätsverlag Westdeutscher Universitätsverlag
Im Elektronenkanal modulationsdotierter Si/SiGe-Hetero-feld-effekttransistoren werden durch Nanostrukturierung der Oberfläche ein- bzw. nulldimensionale elektronische Systeme erzeugt. Die Nanostrukturierung erfolgt entweder durch dynamisches Pflügen eines Resists mit dem Raster-kraftmikroskop oder durch Elektronenstrahllithographie und anschließendes materialselektives naß-chemisches Ätzen. Die minimalen Strukturabmessungen liegen bei etwa 15 nm. In Quantenpunktkontakten läßt sich bei T = 4.2 K die sukzessive Besetzung eindimensionaler Subbänder mit steigender Gatespannung beobachten. Unter endlicher Drainspannung führt die Auf-heizung von Elektronen zu negativ differentiellem Leitwert in der Strom-Spannungs-Kennlinie. Neben ballistischen
Effekten finden sich in einigen Quantenpunktkontakten und in lithographisch erzeugten Quantenpunkten auch Einzelelektroneneffekte, die als Coulomb-Blockade-Oszillationen im Leitwert sichtbar sind.
