Fundamentals of III-V Devices

Hbts, Mesfets, and Hfets/Hemts
1. Auflage 1999
ISBN: 978-0-471-29700-0
Verlag: Wiley

Buch, Englisch, 520 Seiten, Format (B × H): 161 mm x 240 mm, Gewicht: 941 g

HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig intensiv erforscht. Diese Einführung ist so verständlich formuliert, daß der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik benötigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)

Autoren/Hrsg.

Liu, William

Fachgebiete

• Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Bauelemente, Schaltkreise
• Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie

Inhaltsverzeichnis

Basic Properties and Device Physics of III-V Materials.

Two-Terminal Heterojunction Devices.

HBT D.C. Characteristics.

HBT High-Frequency Properties.

FET D.C. Characteristics.

FET High-Frequency Properties.

Transistor Fabrication and Device Comparison.

Appendices.

Index.

Über Autor(innen)

WILLIAM LIU is a senior member of the technical staff at Texas Instruments, where he has worked since obtaining his PhD in electrical engineering from Stanford University in 1991. Dr. Liu has published numerous papers, reviews, and chapter contributions on HBTs. He holds thirteen U.S. patents on device and circuit design in various HBT technologies. He is a senior member of the IEEE.