Buch, Deutsch, Band 8, 226 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 353 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
Buch, Deutsch, Band 8, 226 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 353 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
ISBN: 978-3-540-11144-3
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Der hiermit vorliegende Band 8 der Buchreihe "Halbleiter-Elektronik" mit dem Titel "Signalverarbeitende Dioden" solI der Verkntipfung zwischen physikali scher Wirkungsweise dieser Diodenart und ihrer elektrotechnischen Zielsetzung dienen. Aus der Obersicht tiber die Konzeption dieser Buchreihe auf der dritten Umschlagseite geht hervor, daB diesem Band flinf Grundlagenbande vorange gangen sind. Deshalb konnen sich die Autoren ohne Umschweife den speziellen Problem en der nachfolgend genannten Dioden widmen: PIN-Diode, Speicher varaktor, Sperrschichtvaraktor, MIS-Varaktor, Schottky-Diode, Zener-und La winendiode (Z-Dioden). Obwohl bei allgemeinen physikalischen Problemen auf die Grundlagenbande verwiesen wird, ist darauf geachtet worden, daB dieses Buch als Einzeldarstellung lesbar bleibt. Bei jeder aufgeflihrten Diodenart wird der spezielle Wirkungsmechanismus herausgestellt, so daB nicht nur eine Anwendung dargestellt, sondern ein physi kalischer Effekt erlautert wird. In der Einflihrung sind entsprechende Hinweise enthalten. Dieser Band kann also, trotz der speziellen Diodenarten, die beschrie ben werden, auch als Halbleiter-Lehrbuch gelten, da die Darstellung mit den Phanomenen der Transportphysik erlautert wird. Beim "Device-Modelling" kann man deshalb auf die geschilderten Zusammenhlinge zuruckgreifen. Ins gesamt wird die Physik des pn-Oberganges behandelt, seine vielfaltigen Mog lichkeiten werden im einzelnen geschildert. Dabei wird nattirlich die schaltungs technische Umgebung, soweit es flir das Diodenverstandnis erforderlich ist, mit berucksichtigt.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
1 Einführung.- 1.1 Der Begriff „Halbleiterdiode“ (Gliederung).- 1.2 Die Gruppe der injizierenden Dioden.- 1.3 Die Gruppe der nichtinjizierenden Dioden.- 2 Die PIN-Diode.- 2.1 Einleitung.- 2.2 Statische Kennlinie.- 2.3 Kleinsignalaussteuerung.- 2.4 Großsignalaussteuerung.- 2.5 Anwendungen der PIN-Diode.- 2.6 Technologischer Aufbau von PIN-Dioden.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Der Speichervaraktor.- 3.1 Einleitung.- 3.2 Schaltverhalten.- 3.3 Dynamisches Aussteuerungsmodell des realen Speichervaraktors.- 3.4 Betriebskenngrößen des Vervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.5 Funktionsmodell des Frequenzvervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.6 Grenzleistung und Konversionsverlust in Vervielfachern.- 3.7 Grenzfrequenzen.- 3.8 Technologie der Varaktordiode.- Literatur zu Kapitel 3.- 4 Der Sperrschichtvaraktor.- 4.1 Einleitung.- 4.2 Dotierungsprofil und Raumladungsweite.- 4.3 Kapazität als Funktion der Spannung.- 4.4 Kapazitätshub.- 4.5 Durchbruchspannung.- 4.6 Ersatzschaltbild und Güte.- 4.7 Temperaturverhalten.- 4.8 Anwendung von Kapazitätsdioden.- Literatur zu Kapitel 4.- 5 Der MIS-Varaktor.- 5.1 Struktur und Zustände des MIS-Varaktors.- 5.2 Quasistatisches Verhalten.- 5.3 Dynamisches Verhalten.- 5.4 Dotierungsabhängigkeit.- 5.5 Temperaturabhängigkeit.- 5.6 Anwendung.- Literatur zu Kapitel 5.- 6 Schottky-Diode.- 6.1 Einleitung.- 6.2 Metall-Halbleiter-Potentialbarrieren.- 6.3 Der stromdurehflossene Metall-Halbleiter-Kontakt.- 6.4 Ersatzschaltbild und Rauschen.- 6.5 Aufbau und Technologie der Schottky-Dioden.- 6.6 Anwendung von Schottky-Dioden.- Literatur zu Kapitel 6.- 7 Zener- und Lawinen-Diode (Z-Diode).- 7.1 Einführung.- 7.2 Gleichstromverhalten.- 7.3 Durchbruchsmechanismen.- 7.4 Stoßionisation (Lawinendiode).- 7.5 Feldemission (Zener-Diode).-7.6 Die Z-Diode als hybrides Bauelement zwischen Lawinen-und Zener-Diode.- 7.7 Technologische Designkriterien.- 7.8 Anwendung von Z-Dioden.- Literatur zu Kapitel 7.- 8 Anhang.- 8.1 Boltzmann-Gleichgewicht.- 8.2 Effektive Zustandsdichte.- 8.3 Boltzmann-Gleichgewicht und effektive Zustandsdichte beim Metall-Halbleiter-Übergang (thermionisches Emissionsmodell).- 8.4 Schottky-Approximation.- 8.5 Allgemeiner Lösungsansatz für die Großsignalanalyse bei injizierenden Dioden.- 8.6 Lebensdauer.
