Foord / Davies / Tsang | Chemical Beam Epitaxy and Related Techniques | Buch | 978-0-471-96748-4 | sack.de

Buch, Englisch, 460 Seiten, Format (B × H): 157 mm x 235 mm, Gewicht: 901 g

Foord / Davies / Tsang

Chemical Beam Epitaxy and Related Techniques


Buch, Englisch, 460 Seiten, Format (B × H): 157 mm x 235 mm, Gewicht: 901 g

ISBN: 978-0-471-96748-4
Verlag: Wiley

Die Strahlepitaxie (Chemical Beam Epitaxy) ist eine relativ neue Methode der Herstellung von Halbleiterschichten. Hier erfahren Sie alles Wichtige rund um dieses Verfahren: Ausrüstung, chemische Mechanismen, Eigenschaften verschiedener Halbleitermaterialien. Für Interessenten aus Physik, Elektronik und Elektrotechnik.
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Autoren/Hrsg.

Foord, John S
Davies, G J
Tsang, W T

Fachgebiete

Weitere Infos & Material

Chemical Beam Epitaxy: An Introduction (G. Davies, et al.).

Growth Apparatus Design and Safety Considerations (F. Alexandre & J. Benchimol).

Precursors for Chemical Beam Epitaxy (D. Bohling).

Reaction Mechanisms for III-V Semiconductor Growth by Chemical Beam Epitaxy: Physical Origins of the Growth Kinetics and Film Purities Observed (J. Foord).

Growth of GaAs-Based Devices by Chemical Beam Epitaxy (C. Abernathy).

CBE InP-Based Materials and Devices (W. Tsang & T. Chiu).

MOMBE of Antiminides and Growth Model (H. Asahi).

Chemical Beam Epitaxy of Widegap II-VI Compound Semiconductors (A. Yoshikawa).

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Silicon and Related Materials (Y. Shiraki).

Gas Source Molecular Beam Epitaxy (L. Goldstein).

Dopants and Dopant Incorporation (T. Whitaker & T. Martin).

Selected Area Epitaxy (H. Heinecke & G. Davies).

Chemical Beam Etching (W. Tsang & T. Chiu).

Laser-Assisted Epitaxy (H. Sugiura).

Index.

John S Foord and G. J. Davies are the authors of Chemical Beam Epitaxy and Related Techniques, published by Wiley.

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